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2030年取代台積不是喊假的! 台積電喊3600億元赴美設廠 隔周三星做了這3件事

2020-06-16
作者: 今周刊

▲三星電子副董事長李在鎔(右2)與南韓總統文在寅(右3),去年4月底共同視察三星在京畿道華城市興建的7奈米EUV製程晶圓廠。(圖/今周刊)

台積電5月中宣布,擬砸120億美元(約3600億元台幣)赴美設廠後,首要對手三星電子動作頻頻,於一周內接連宣布,在南韓國內新建5奈米製程的新晶圓廠;大當家李在鎔更親赴陝西首府西安,視察三星在海外的唯一半導體工廠,而且在回國後不久宣布,加派300人至中國,加速擴建西安廠。

國內產業專家觀察,三星電子不僅要鞏固在全球記憶體的霸主地位,更重要的是,拉近與業界一哥台積電的距離,以實現「半導體願景2030」,也就是達成在2030年取代台積電、成為全球晶圓代工霸主的目標。

就在5月15日台積電丟出震撼全球科技界的大消息後,17日三星電子副董事長李在鎔搭機赴中國,視察正在進行第二期工程的西安廠。

若不計在美國德州奧斯汀的S2晶圓廠,西安廠是目前三星唯一在海外的半導體工廠,主要生產快閃記憶體,且李在鎔去年2月才視察該廠。

儘管COVID-19(武漢肺炎)肆虐,三星西安廠的第5代快閃記憶體產線仍在今年3月投產。三星4月才派遣200人進駐,以加速提升產能,且李在鎔回國後不到一周,三星就在5月22日宣布加派300位工程師及承包商赴西安,要加速進行西安廠耗資80億美元(約2400億元台幣)的擴建計畫。

▲三星電子掌門人李在鎔5月中赴中國,視察西安記憶體工廠。(圖/今周刊)

與台積電相關度較高的是,三星電子在5月21日宣布,位於首爾近郊京畿道平澤市的全新12吋晶圓廠已經動工,預計2021下半年投產,將是運用EUV(極紫外光)設備的5奈米製程產線,外界估計投資額為10兆韓元(約2600億元台幣)。

三星電子晶圓事業總經理鄭恩昇(Jung Eun-seung)在聲明中說:「新產線將擴大三星在5奈米以下的製造能力,得以快速因應客戶對SUV製程逐漸上升的需求。」

對此台灣經濟研究院研究員暨產業顧問劉佩真表示,三星在記憶晶片及晶圓代工的布局要分開來觀察。

▲(圖/今周刊)

首先,中國本身也扶植記憶晶片業者,例如長江存儲4月已宣布研發成功128層的3D NAND快閃記憶體,而三星自然希望鞏固自己的龍頭地位。

產業研究機構TrendForce記憶體儲存研究統計,三星仍穩坐全球NAND Flash記憶體出貨的市佔率冠軍,但今年第一季降至33.3%,低於去年第四季的35.5%。

台積電5奈米製程已量產 領先三星一年多
 
其次,三星宣布新建5奈米製程產線,不無針對台積電的意味,因為台積電5奈米製程上半年已量產,外界預估今年可望貢獻10%營收。

若照三星說法,平澤廠的5奈米產線預定2021下半年投產,就表示三星在5奈米投產的進度較台積電落後一年多。

今年2月三星宣布,華城廠的7奈米產線開始量產,且同樣在該廠的5奈米產線預計今年下半年投產,惟目前進度仍須觀察。

▲(圖/今周刊)

產業研究機構TrendForce旗下拓墣產業研究院調查,若以營收估算,今年第二季台積電以市佔率51.5%穩居全球晶圓代工霸主,遠高於第二名、南韓三星的18.8%。

不僅如此,台積電第二季營收估計將較去年同期躍升30%,高於三星電子的15%增幅,意味三星要追趕台積電仍有不小距離。

三星提出半導體願景2030 挑戰台積電龍頭地位

去年4月三星電子提出「半導體願景2030」,預計未來12年總共投資133兆韓元(近3.7兆元台幣),宣示要在2030年成為非記憶晶片類半導體產品的全球第一名,等於不點名挑戰台積電的全球晶圓代工龍頭地位。

另外,劉佩真也提到,在晶圓代工業本身的競爭外,三星與台積電也無法自外於美中科技戰。對於不屬於美國或中國的半導體大廠來說,現階段看待與華為的關係可能是以拖待變,先觀察情勢變化,再決定如何調整策略。

(本文由「今周刊」授權轉載)

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