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中國步步進逼 台灣記憶體產業的下一步?

2020-05-25
作者: 林宗輝

▲晉華案爆發後,聯電據稱已停止一切記憶體開發工作,而晉華公司也陷入困境。(圖/潘重安攝)

台灣過去曾在記憶體產業投下超過兆元資金,最終卻鎩羽而歸,主要還是歸因於缺乏對上游專利與技術的掌握,只想做代工生意之故,現有業者也多是只針對嵌入式應用等利基型市場,沒有提供標準型產品。

當美中科技冷戰再起、中國進逼,台灣業者該如何面對?根據TrendForce統計,南亞科在全球DRAM市占約為3%,其核心專利主要從美光取得,每年亦需要支付大筆權利金,在考慮到自行研發仍比向美光授權更便宜的情況下,南亞科轉而選擇自行研發1A、1B、1C 3個世代的製程,今年調高資本支出,目的就是要設置10奈米製程試產線,預計1A世代將於今年下半年試產,也透過自研擺脫美光的技術限制。

另一家宣稱擁自主開發技術的聯電,曾經企圖大展身手,但在福建晉華案爆發後,已停止一切記憶體開發工作。根據美國法院公布的資料,美國政府和聯電有兩個訴訟,其中一個和晉華有關的案件,去年底不再有任何進度,但另一個侵害營業祕密的案子,仍在緊鑼密鼓進行。(延伸閱讀:DRAM需求終極之戰 漲勢再起

市場人士觀察,美國企業常以侵權訴訟作為商業競爭的手段之一,但晉華案在日趨緊繃的美中關係下更顯敏感,聯電就算真的擁有DRAM自主開發能力,深陷官司泥淖也可能淪為政治角力工具,恐對台灣DRAM產業帶來負面影響。

而在利基型產品方面,旺宏去年底通過87億元的資本支出,擴充3D NAND的產線,年底將量產48層產品。華邦電去年也加大投資中科廠,導入20奈米新製程,原本計畫在高雄設立的新廠,則將裝機日期推遲至2020年。至於力積電,目前同時製造DRAM和NAND FLASH,以代工業務為主。(延伸閱讀:長江存儲擴大產能、合肥長鑫也四年有成 中國加速自製,全球記憶體恐陷紅海!

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