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長江存儲擴大產能、合肥長鑫也四年有成 中國加速自製,全球記憶體恐陷紅海!

2020-05-20
作者: 林宗輝

▲南亞科今年調高資本支出,打算設置10奈米製程生產線,圖為總經理李培瑛。(圖/攝影組)

2020年第1季,當全球忙於關注疫情時,一連串消息顯示,中國的記憶體產業已悄悄進入量產,全球半導體格局可能因此改變。

長江存儲量產 威剛群聯都表態合作

4月26日,國科微和長江存儲簽約,採購長江存儲生產的64層NAND FLASH記憶體,搭配國科微生產的控制器晶片,用於固態硬碟上,預計全年採購金額將超過人民幣1億元。而主攻DRAM的長鑫存儲更已經在市場上推出以其顆粒製造的記憶體模組。

一家國企採購另一家國企的產品,聽起來好像就是左手換右手,沒什麼了不起,但要知道長江存儲是2016年7月才成立的公司,滿周年就成功量產32層NAND FLASH記憶體,今年更已經開始量產64層,明年更要挑戰128層,瞄準一線業者。

而64層產品是長江存儲正式打入市場的里程碑式產品,早在1月就宣告產能將擴至每個月10萬片的規模。

多家台灣公司已經準備好跟長江存儲一起進攻市場。今年1月長江存儲舉辦的大會裡,威剛科技董事長陳立白就表示,「將跟長江存儲合作推出消費型固態硬碟」,群聯董事長潘建成也表示,「長江存儲的記憶體產品已經經過驗證,且長江存儲與群聯不僅是NAND   FLASH原廠與主控廠的關係,更是技術、產品、應用及市場等全方位的長期夥伴關係,未來也將會有更緊密的合作」,5月7日,群聯公告旗下全系列控制晶片都支持長江存儲產品。群聯和江波龍等公司正和長江存儲合作,準備進行大規模量產。(延伸閱讀:半導體國家隊》環球晶通吃台積電、三星的大贏家 全球布局攻下南韓灘頭堡!

中國記憶體 補足專利後市不容小覷

中國在DRAM產業也有突破,今年2月,合肥長鑫宣布研發出DDR4及LPDDR4X兩種記憶體,採用19奈米製程,這是中國第1顆自製DRAM晶片,主攻PC市場。今年5月,市場上已買得到合肥長鑫製造的DRAM。

中國1年要花掉超過600億美元,約合一兆8000億元台幣買記憶體,過去,全世界只有美國和南韓能主導記憶體技術發展,一旦中國掌握自製記憶體能力,勢必將改寫全球半導體產業格局。而最多人關心的問題是,中國究竟是如何取得記憶體技術?

▲晉華案爆發後,聯電據稱已停止一切記憶體開發工作,而晉華公司也陷入困境。(圖/潘重安攝)

在NAND FLASH方面,中國是從2015年開始,由武漢新芯和美國飛索半導體合作,取得NAND FLASH技術授權,2019年,武漢新芯併入長江存儲,補足長江存儲一直以來缺乏的專利保護傘。今年4月13日,長江存儲宣布年底將要量產128層NAND FLASH,挑戰一線業者。三星更因此宣布要研發160層技術,拉開跟競爭者的距離。

至於在DRAM領域,合肥長鑫是靠德國奇夢達的技術,找到突破口。奇夢達在金融海嘯時破產,其擁有的專利被英飛凌等公司收購,台灣華邦電使用的便是來自奇夢達的技術。2019年12月,合肥長鑫和加拿大公司Wi-LAN Inc.這家從英飛凌手上收購大筆奇夢達專利的公司達成協議,長鑫獲得了1000多萬份有關DRAM的技術文件及2.8 TB數據。(延伸閱讀:資安、生技...台股4大族群逆勢突圍!一張圖看:第一季23檔營收高成長股清單

中國業者入市 恐複製LCD面板戰火

此外,今年4月,合肥長鑫還跟美國記憶體技術大廠Rambus簽下協議,取得大量記憶體技術授權專利。

今年恐怕只是合肥長鑫和長江存儲打基礎的1年,因為大陸媒體報導,合肥長鑫目前月產能只有5000片,到年中,月產能將提升到4萬片,並從19奈米升級至17奈米技術。

長江存儲今年底打入最主流的128層NAND FLASH技術後,今年將讓成都新廠進入量產,並完成武漢兩座廠房擴廠。目前除了三星、海力士有能力量產128層產品外,鎧俠(前東芝記憶體)、美光和英特爾今年也將推124層到144層新品競爭,報告中指出「2021年NAND FLASH市場競爭將加劇。」

記憶體技術之戰,將是中美科技戰的重要一環,誰擁有這個市場,在經濟、國防、科技主導權上將取得領先地位。記憶體市場與技術競爭激烈,缺乏專利與產能規模的業者都難以在其中卡位;當有備而來的中國加入戰局後,記憶體市場會不會像LCD面板一樣,成為下一個紅海市場,值得高度關注。

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