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日韓貿易戰牽動7奈米競爭 台積電狠甩三星

2019-08-12
作者: 經濟日報 記者簡永祥

▲(圖/經濟日報提供)

日韓貿易戰加劇,日本管制關鍵高純度氟化氫等應用在極紫外光(EUV)原料輸韓,直接打亂三星衝刺7奈米以下先進製程布局,預料受原料管制趨嚴下,三星要藉衝刺先製程搶食台積電晶圓代工大餅的難度大增,並加速台積電拉大和三星差距。

日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關鍵半導體原料輸韓,雖然南韓半導體廠仍可透過專案審查程序申請,但進口時程將由過去簡化程序拉長至90天(專案審查期),包括三星和SK海力士除均對外收購既有三項原料存貨外,也透過專案申請、加速他廠認證雙管齊下,希望將衝擊降至最低。

半導體業者表示,由於目前三星和海力士記憶體庫存仍高,日本管制光阻劑等三項半導體原料輸韓,韓廠可將生產快閃記憶體(Flash)的原料轉去支援利潤較高的DRAM,並趁機抬高價格、消化庫存,對三星和全球DRAM供給,短期還不會構成太大影響。

不過,日本廠商生產用於先進製程的高純度氟化氫,目前替代廠商占比極低,將直接衝擊三星在半導體先進製程布局。

據了解,三星稍早也曾透過台灣廠商轉手賣給三星,不過台廠擔心台韓出口高純度氟化氫,將遭日本原廠發現異常,拒絕這項交易,讓三星吃到閉門羹。

高純度氟化氫是在採用極紫外光(EUV)進行光罩製程時,要讓積體電路精準對位的蝕刻材料,而三星也靠著7奈米製程導入EUV微影設備並成功搶下高通和輝達等前往下單的重要利器。

如今日本管制這項原料輸韓,雖然三星正自行生產這項關鍵化學品,但這又等於讓製程良率增添變數,而且三星也是領先全球把EUV設備導入生產更先進的DRAM產品的大廠。

半導體業者分析,三星發展7奈米以下製程受阻,未來要追趕台積電,得花費更大的財力和物力 ,日韓貿易戰其實反而助攻台積電拉大和三星差距。

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