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2018 年記憶體資本支出將佔半導體產業的 53%,記憶體價格下滑醞釀中

2018-08-29
作者: 財經新報

(圖/財經新報,以下同)

這兩年,隨著記憶體價格的暴漲,主要的記憶體廠商也紛紛大幅投資,擴大產能。因此,根據市場調查單位 《IC Insight》 的最新報告指出,2018 年半導體資本支出總金額將增加至 1,020 億美元,這是該產業有史以來第一次在全年的資本支出上花費超過 1,000 億美元。而這一金額相比 2017 年的 933 億美元來說,成長了 9%,也比 2016 年成長了 38%。

報告表示,2018 年半導體資本支出的總金額超過一半是預計用在記憶體的生產上。其主要產品包含 DRAM 和 NAND Flash 快閃記憶體上,用於現有晶圓廠和全新製造設施的升級。整體來說,預計 2018 年記憶體將佔整體半導體資本支出的 53%。

另外,記憶體的資本支出比例在 6 年內大幅增加,幾乎翻了一倍的程度。也就是從 2013 年 147 億美元的 27% 比例,增加到 2018 年 540 億美元的 53% 比例,相當於 2013 年到 2018 年間的複合年成長率高達 30%。

此外,在主要產品類別上,2018 年預計DRAM / SRAM 的資本支出增加幅度最大。但是,在 NAND Flash 快閃記憶體佔 2018 年資本支出的最大比例。而且,預計 2018 年 DRAM / SRAM 的資本支出將在 2017 年強勁成長 82% 後,將出現 41%的成長。至於,NAND Flash 快閃記憶體體方面,2018 年的資本支出,將在2017 年達到成長 91% 後,再成長 13% 的比例。

報告中進一步指出,經過兩年的資本支出的大幅增加,一個迫在眉睫的問題是,高成長率的支出是否會導致記憶體產能過剩和價格下降。根據過去的經驗指出,過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。因此,包括三星,SK 海力士,美光,英特爾,東芝/威騰電子/ SanDisk 和 XMC /長江存儲技術等公司都計劃在未來幾年內大幅提升 3D NAND Flash 記憶體產能。所以,IC Insights 認為,未來 3D NAND Flash 記憶體需求過高的風險正在上揚,且不斷提升中。

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