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SK 海力士 2017 年將擴大投資,期望繼續掌握市場競爭優勢

2017-07-25
作者: 財經新報

面對當前記憶體市場不論 DRAM,或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況,南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始,提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。

根據南韓媒體 《每日經濟》 的報導指出,面對當前記憶體市場不論 DRAM,或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況,南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始,提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。另外,還將持續增加 14 奈米製程的 NAND Flash 產量。目的在於以更具優勢的成本競爭力,達到獲利提升的目的。

報導中進一步表示,在當前行動通訊設備對 DRAM 及 NAND Flash 產品的容量持續增加,並且受惠於大數據的應用普及、人工智慧與機器學習的快速發展,也使得雲端資料中心的伺服器需求增加,帶動 DRAM、固態硬碟(SSD)需求提升的情況下,市場上對於記憶體的需求自 2016 年中以來熱度持續不減,造成供應量的不足,並導致價格的上揚。

有鑑於市場上的需求,各家記憶體大廠紛紛提供投資金額,擴大產能,以爭取市場商機。其中,SK 海力士在 2016 年的總投資規模達到 6.29 兆韓圜 (約新台幣 1,709 億元),而 2017 年投資金額預估更加達到 7 兆韓圜 (約新台幣 1,902 億元),並且計畫在 2019 年 6 月底前,投資 2.2 兆韓圜 (約新台幣 598 億元)用於南韓清州興建 NAND Flash 快閃記憶體工廠。

另外,在產品的研發上,2016 年 SK 海力士總計斥資了占營收 12.2%,金額達到 2.1 兆韓圜 (約新台幣 571 億元)的研究經費。其成果,除了在 2017 年 1 月推出全球最高容量的超低功耗行動裝置 DRAM – LPDDR4X 之外,也在 4 月份推出可作為人工智慧、虛擬實境、自動駕駛、以及 4K 以上高畫質顯示器用記憶體的超高速繪圖 DRAM – Graphics DDR6。

至於,在 NAND Flash 快閃記憶體的產品上,2017 年 SK 海力士成功開發出 72 層堆疊,比上一代 48 層堆疊晶片運作速度提升 2 倍,讀寫性能也拉升 20% 的 3D NAND Flash 之後,已經在 7 月份開始進行量產。據了解,72 層堆疊比上一代 48 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體生產效能提高 30%。而針對市場上對 SSD 硬碟的需求,SK 海力士也推出搭載自主研發控制器的移動裝置用 eMMC 產品,以及 PCI 介面 SSD 固態硬碟,提昇 SK 海力士在 3D NAND Flash 快閃記憶體產品上的競爭力。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes cc by 2.0)

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